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LED表现芯片的制造历程概述

[ 信息公布:本站 | 公布工夫:2020-05-08 | 阅读:181 ]

总的来说,LED制造流程分为两大部门:

起首在衬低上制造氮化镓(GaN)基的晶圆,这个历程次要是在金属无机化学气相堆积晶圆炉(MOCVD)中完成的。预备好制造GaN基晶圆所需的质料源和种种高纯的气体之后,根据工艺的要求就可以逐渐把内涵片做好。常用的衬底次要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,另有GaAsAlNZnO等质料。

MOCVD是行使气相反映物(先驱物)及族的无机金属和族的NH3在衬底外面举行反映,将所需的产品堆积在衬底外面。经过控制温度、压力、反映物浓度和品种比例,从而控制镀膜身分、晶相称质量。MOCVD内涵炉是制造LED内涵片最常用的装备。

然后是对LED PN结的两个电极举行加工,电极加工也是制造LED芯片的要害工序,包罗洗濯、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对LED毛片举行划片、测试和分选,就可以获得所需的LED芯片。若是芯片洗濯不敷清洁,蒸镀零碎不正常,会招致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有零落,金属层表面变色,金泡等非常。

蒸镀历程中偶然需用弹簧夹牢固芯片,因而会发生夹痕(在目检必需挑除)。黄光作业内容包罗烘烤、上光阻、照相曝光、显影等,若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。

晶粒在前段制程中,各项制程如洗濯、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必需运用镊子及花篮、载具等,因而会有晶粒电极刮伤情况发作。